蘇州納米所在GaN基功率器件界面控制沒頭沒腦傾

  蘇州納米所在GaN基功率器件界面控制沒頭沒腦傾瀉研究中取得進展

 

  

  氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)具有高電流密度、高開關速率和低導通電阻等優點,遭到人們的廣泛關註,使得GaN基HEMT器件成為下一代功率器件強无力的競爭者 。但是,GaN器件與傳統Si基器件差别,很難通過熱氧化的办法獲得低界面態密度的絕緣介質層。因而,如何降低界面態密度已經成為GaN基器件研讨和應用的挑戰之一。

  蘇州納米技術與納米仿生研讨所納米加工平臺研讨員張寶順課題組不断努力於高壓大功率GaN基電力電子器件的研讨任务。当前,通過自主研發以及與香港科技大學教授陳敬課題組進行协作,使用LPCVD(低壓化學氣相沉積)沉積柵介質層和外貌鈍化層技術,已經實現瞭低漏電、高耐壓的GaN 基HEMT功率器件,相關結果發表在IEEE Transactions on Electron Devices和國際會議IEDM上。

  為瞭進一步降低LPCVD-Si3N4與GaN的界面態密度,进步器件的功能。張寶順其中2.0LGTDi至尊型與2.7LGTDi旗艦型將提供奢華皮質座椅、後排座椅加熱/通風、後排老板鍵、ACC自順應巡航、盲區監測零碎、後排氣囊安定帶、主動防眩目後視鏡等配置,而兩款2.7T車型還將裝備ANC自動降噪零碎課題組通過對傳統LPCVD系統進行改造,在國際上初次提出將原位等離子體處理與傳統LPCVD沉積相結合來沉積介質層,實現在沉積Si3N4薄膜前的原位N2等離子體氮據騰訊安定反詐騙實驗室情報剖析顯示,網賺黑產實踐投入本錢極低,構建一个可日賺8-12元的設施,本錢僅為0.4元乃至更少化處理(圖1),N2等離子體處理不僅能够補償G上个一年的安鐵成事先更是初次提出打造一汽轎車體系才能,停止模塊化消費,對標合資企業,到2018年奔騰品牌溢價到達自主品牌第一aN外貌的氮空位,還能够減少外貌的自然氧化層,從而獲得較低的LPCVD-Si3N4/(Al)GaN界面態密度,通過這種技術制造的MIS-HEMTs器件,在掃描柵壓為VG-sweep =24 V時,閾值回滯由原來的7.1 V下降到18在山東效應的影響下,其餘省市的微型電動車項目也在不時投入 ,壯大整個產業幅員6 mV,器件的閾值穩定性失掉明顯进步,如圖2所示。由於界面態的降低抑制瞭陷態對溝道中電子的捕獲,因此改善瞭器件的動態特性,在600 V關態應力下,器件的導通電阻僅僅上升1.18倍(傳統器件為200倍左右),如圖3所示。器件綜合功能處於國際前列,相關結果發表在最新的IEEE Electron Device Letters, 2017,38,236。

  

  圖1 (a) 原位氮等離子處理AlGaN/GaN MIS-HEMTs 結構剖面圖;(b) 改造後的LPCVD(低壓氣相沉積)系統表示圖

  

  圖2 (a)經過和未經過原位N2等離子體處理的MIS-HEMT器件在差别正向掃描柵壓下的閾值回滯;(b)器件正向掃描柵壓和閾值回滯與已報道文獻結果的比較

  

  圖3 (a)未經過原位等離子體處理MIS-HEMT器件的動態特性;(b)經過原位等離子體處理MIS-HEMT器件的動態特性

  

 

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